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革新的な半導体材料を用いた高効率パワーデバイスの開発
最先端GaO®パワー半導体を手掛けるFLOSFIA(フロスフィア) | 2014年|
1. 高品質膜の成膜を非真空で実現するミストドライ®技術により、省スペース化と製造コストの削減が可能です。この技術は、金属酸化膜だけでなく、金属や有機膜の成膜にも対応しています。

2. FLOSFIAは、京大発の新材料であるコランダム構造酸化ガリウム(α-Ga2O3)を用いて、世界最小のオン抵抗を持つパワーデバイスを開発。これにより、従来比最大9割の変換損失低減を実現しています。

3. 成膜ソリューション事業において、ミストドライ®法を活用し、アプリケーション開発をサポート。小ロットからのテスト成膜や薄膜評価を提供し、電子材料や電池材料の供給も行っている点が特徴です。